型号:SI4834CDY-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 20 毫欧 @ 8A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 25nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 950pF @ 15V |
功率_最大 | 2.9W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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深圳德田科技有限公司 | 李小姐86-0755-83254070/18680328178 |
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芯片电阻 - 表面安装
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0603(1608 公制)
RES 10.5 OHM 1/10W .5% SMD 0603
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